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1 Calculated properties of point defects in Be-doped GaN [期刊论文]

来源：PHYSICAL REVIEW B , 2003

作者:

关键词:LOCAL VIBRATIONAL-MODES;YELLOW LUMINESCENCE;...

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2 General method to predict voltage-dependent ionic conduction in a solid electrolyte coating on electrodes [期刊论文]

来源：PHYSICAL REVIEW B , 2015

作者:

关键词:TOTAL-ENERGY CALCULATIONS;ATOMIC LAYER DEPOSITION;...

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3 Theoretical study of intrinsic defects in cubic silicon carbide 3C-SiC [期刊论文]

来源：PHYSICAL REVIEW B , 2021

作者:

关键词:JAHN-TELLER DISTORTIONS;SPIN-STATE;...

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4 Reducing lead toxicity in the methylammonium lead halide MAPbI(3): Why Sn substitution should be preferred to Pb vacancy for optimum solar cell efficiency [期刊论文]

来源：PHYSICAL REVIEW B , 2020

作者:

关键词:PEROVSKITE THIN-FILMS;NATIVE DEFECTS;...

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5 Divacancy in 3C- and 4H-SiC: An extremely stable defect [期刊论文]

来源：PHYSICAL REVIEW B , 2002

作者:

关键词:NEGATIVE-U CENTERS;AB-INITIO;...

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6 Large atomic displacements associated with the nitrogen antisite in GaN [期刊论文]

来源：PHYSICAL REVIEW B , 1996

作者:

关键词:ELECTRONIC-STRUCTURE;MOLECULAR-DYNAMICS;...

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